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二維材料器件

二維材料是指電子僅可在兩個維度的非納米尺度(1-100nm)上自由運動(平面運動)的材料,如納米薄膜、超晶格、量子阱,目前二維材料已經成為各個國家的研究重點。原位芯片可以為客戶提供二維材料的研究方案設計,器件制作和器件性能測試如場效應管,霍爾bar),原位芯片可以為客戶提供二維材料器件的設計、制作及性能測試服務,同時也為客戶提供高性能二維材料的制備如石墨烯、二硫化鉬、二硫化鎢、黑磷等

二維材料器件


二維材料有著豐富的物理性質與多樣化的器件應用,可以被廣泛地應用于光電探測器、光電子器件、存儲器、邏輯運算元件、發光二極管以及激光器等各種領域。原位芯片為客戶提供二維材料器件的設計,制造及測試服務。


場效應管,霍爾Bar

二維材料器件

(場效應管在光學顯微鏡下的結構圖)

二維材料器件

(FET 測試輸出與轉移曲線)

二維材料的制備


二維材料作為電學、光電學體系中單位元件的特性,具備與互補金屬氧化半導體技術整合的能力在各個領域的被廣泛研究。為助力科研,原位芯片可以為客戶提供如下二維材料的制備。

BP系列 BP系列
BP塊材(high quality,>500mg)
b-AsxP1-x (0.2'<'x<0.9) 黑砷磷合金
Se-doped BP 硒摻雜BP
Te-doped BP 碲摻雜BP
MPX3 系列 FePS3 鐵磷硫
FePSe3 鐵磷硒
NiPS3 鎳磷硫
NiPSe3 鎳磷硒
MnPS3 錳磷硫
MnPSe3 錳磷硒
CrPS4 鉻磷硫
TIs 拓撲絕 Bi2Se3 硒化鉍
Bi2Te3 碲化鉍
Sb2Te3 碲化銻
三元窄帶隙 Ta2NiS5
Ta2NiSe5
Ga 系 GaS 硫化鎵
GaSe 硒化鎵
V 系TMDs 1T-VS2 二硫化釩
1T-VSe2 二硒化釩
1T-VTe2 二碲化釩
Ti 系TMDs 1T-TiS2 二硫化鈦
1T-TiSe2 二硒化鈦
1T-TiSxSe2-x
Sn 系TMDs 2H-SnS2 二硫化錫
2H-SnSe2 二硒化錫
2H-SnSxSe2-x
Ta 系TMDs 1T-TaS2 二硫化鉭
2H-TaSe2 二硒化鉭
2H-TaSxSe2-x

二維材料器件
二維材料器件

(黑磷)

我們的優勢


 可以高精度定位離散二維材料二維材料從單層到多層  工藝涵蓋從生長到測試全流程  定位精度可達2um  可制備多種二維材料



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